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蓮花仙者
发布时间：2024-11-16 10:36:02
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|来源于laoyaoba
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天眼查显示，湖南三安半导体有限责任公司“碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件”专利公布，申请公布日为2024年10月18日，申请公布号为cn118800798a。
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本申请提供的碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件，包括：
通过层叠形成张应力材料层和压应力材料层，且张应力材料层的应力值大于压应力材料层的应力值，在高温快速退火处理后，张应力材料层与压应力材料层之间产生的净剩张应力传递至沟道内，从而改善沟道迁移率，降低比导通电阻。
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