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东芯股份近期机构调研透露，三星已退出SLC NAND市场，预计美光、海力士、铠侠等国际厂商也将逐步退出小容量NAND市场。利基型DRAM方面，三星和海力士也已开始逐步退出DDR3市场，未来该市场将主要由大陆和台湾厂商主导。
东芯股份的SLC NAND Flash和NOR Flash均已通过AEC-Q100认证，并实现车规级产品销售。公司将持续研发高可靠性车规级产品，拓展产品线。
在利基型DRAM领域，东芯股份的产品涵盖标准DDR3和低功耗LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4X等。公司将持续扩充DRAM产品线，提升市场竞争力。
针对中大容量NOR Flash，东芯股份基于48nm和55nm制程，研发64Mb-1Gb产品，并根据不同客户需求进行精准定位，力求在性能、功耗和性价比方面达到最佳平衡。产品广泛应用于消费电子、网络通信、电力电表、PC和服务器等领域。
