上海华虹宏力半导体制造有限公司近日公布一项名为“sonos存储器件及其制备方法”的专利(申请公布号:cn119212394a,申请公布日:2024年12月27日)。
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该专利技术旨在提升SONOS存储器件的存储密度和单元均一性。其核心方法包括:在基底上依次形成电荷存储层、多晶硅栅材料层和硬掩膜层;利用自对准刻蚀工艺形成两个分立的氧化层,并去除氧化层暴露出的多晶硅栅材料层,从而形成两个独立的多晶硅栅极;再通过形成侧墙隔离栅极,并覆盖栅极侧壁,最终进行源漏重掺杂离子注入。 此工艺省去了传统设计中两个存储管共用的源端及相关侧墙,直接利用隔离侧墙隔离存储管,有效缩小了存储单元面积,并由于采用自对准工艺,保证了存储单元的高一致性和均一性。










