9月2日，日本在半导体材料领域长期保持全球领先，然而由于缺乏完整的产业链支持，其在先进制程工艺上的进展一直未受关注。近年来，在日本政府的强力推动下，该国正逐步向高端芯片制造发起冲击。
近日，日本新兴晶圆代工企业Rapidus公布了其2HP 2nm工艺的关键参数，其逻辑晶体管密度竟超越台积电N2工艺，且大幅领先于Intel 18A，引发业界震惊。
数据显示，Rapidus 2HP的逻辑晶体管密度达到每平方毫米2.3731亿个，略高于台积电N2的2.3617亿个，领先幅度不足5%，数值极为接近。
相比之下，Intel 18A尚未公布官方密度数据，行业普遍估算其约为每平方毫米1.8421亿个，这意味着Rapidus在该指标上领先近30%。
至于台积电的N3B/E/P、Intel 3以及三星3GAP等一众3nm级别工艺，均被远远甩在身后。
此外，Rapidus 2HP的单元库配置包含一个HD高密度库，单元高度为138Track，金属间距为G45。
不过，这一数据的真实性引发质疑。知名半导体分析机构TechInsights此前曾指出，台积电N2在高密度逻辑晶体管密度上实际达到了每平方毫米3.13亿个，Intel 18A也实现了约2.38亿个，甚至三星2GAA工艺也有约2.31亿个，这些数值均显著高于Rapidus所公布的指标。
需要强调的是，Intel 18A的晶体管密度低于台积电N2，并非技术落后，而是因其采用了创新的背面供电架构（BSPDN），占用了部分前道金属层空间，从而影响了密度表现。
更重要的是，Intel的设计重心并非单纯追求最高密度，而是更注重整体能效表现。
总体来看，若Rapidus公布的数据真实可信，至少表明日本在2nm工艺上已达到相当高的技术水平。但是否真正超越台积电与Intel，仍需进一步验证，尤其考虑到这是一家初创企业。
Rapidus计划于2026年第一季度发布2HP工艺的PDK（工艺设计包），并目标在2027年实现量产，但具体将用于哪些芯片产品目前尚无明确信息。
即便最终数据有出入，也不过是鞠个躬、道个歉的事罢了。
