9月10日，消息指出，intel预计在今年年底启动18a工艺的量产，这将是该公司首个采用gaa（环绕栅极）晶体管结构的制程技术。而2025年将成为决定下一代14a工艺未来走向的关键一年。
此前，Intel CEO陈立武曾表示，若到2026年仍未引入大客户，公司将可能搁置14A工艺的建厂计划，此言论一度引发外界对Intel是否继续推进先进制程的疑虑。不过，公司近期频频释放积极信号，强调获得大客户支持的可能性极高，并称14A工艺在性能和设计上具备强大竞争力。
在高盛举办的媒体与技术大会上，Intel规划与投资者关系副总裁John Pitzer再次表达了对14A工艺的信心，并指出公司已从过往经验中吸取教训。
与18A工艺主要围绕Intel自研产品进行优化不同，14A工艺从初期阶段就与外部合作伙伴联合开发，重点针对高性能计算（HPC）和移动应用场景进行了专项优化。
目前，Intel的晶圆代工团队正致力于实现一项关键目标：即便缺乏大规模外部订单，也能在2027年前使14A项目达到盈亏平衡。
根据公开资料，14A是18A的后续演进节点，将首次引入High NA EUV光刻设备——ASML Twinscan EXE:5200B系列。该设备单价接近4亿美元，约为当前EUV光刻机的1.5至2倍，导致14A的整体制造成本显著高于18A。
尽管如此，14A带来的性能飞跃同样突出：每瓦性能提升15%-20%，功耗下降25%-35%，同时晶体管结构也迎来新一轮升级，可在不增加面积或功耗的前提下大幅提升运行速度。
