10月26日，据国内媒体报道，我国在芯片关键技术领域再获重要进展，此次突破聚焦于光刻胶研发。
北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队联合相关合作者，创新性地采用冷冻电子断层扫描技术，首次在原位条件下揭示了光刻胶分子在液相环境中的三维微观结构、界面分布特征及其缠结动态行为，并基于此指导开发出一套可大幅降低光刻缺陷的产业化解决方案。该研究成果已发表于国际权威期刊《自然通讯》。
光刻胶堪称是绘制芯片电路的“显影颜料”，其在显影液中的分子运动状态，直接影响电路图案的精度与质量，进而决定芯片制造的良率水平。
长期以来，光刻胶在液体环境中的微观行为一直难以观测，犹如一个“黑箱”。产业界只能依赖经验试错进行工艺优化，这一难题成为阻碍7nm及更先进制程提升良率的主要瓶颈之一。
此次研究中，科研团队成功获取了分辨率高于5nm的三维“全景影像”，首次实现了对光刻胶分子行为的原位、高分辨、三维可视化观察，彻底突破了传统观测手段在实时性、空间分辨率和立体成像方面的三大局限。
彭海琳指出，冷冻电子断层扫描技术为在分子乃至原子尺度上解析液相界面反应过程提供了全新路径。深入理解聚合物在溶液中的结构演化与动态行为，将有力推动光刻、蚀刻以及湿法清洗等关键半导体工艺的技术升级，显著提升先进制程的缺陷控制能力与生产良率。
