12月7日最新消息显示，此前关于日本断供光刻胶的传闻虽遭日方否认，但业内普遍认为其在光刻胶领域的主导地位已构成实质性技术制约——尤其在尖端euv光刻胶环节，jsr、信越化学、东京应化（tok）等日企仍牢牢掌控全球供应链命脉。
回溯2019年日韩贸易争端，日本曾对韩限制出口光刻胶等三大半导体关键材料，彼时即暴露其“材料武器化”的能力。此后韩国虽加速国产替代进程，但所谓“已攻克EUV光刻胶”实为误读：当前三星与SK海力士所用EUV光刻胶，多数系通过日本企业在海外设立的子公司间接供应，核心配方与量产工艺仍未脱离日企体系。
值得注意的是，SK海力士正采取更主动策略——鉴于其存储芯片制程持续微缩，EUV工艺渗透率快速提升，该公司已携手韩国本土材料龙头东进世美肯（Dongjin Semichem），联合攻关新一代EUV光刻胶。
该合作不仅聚焦于实现进口替代，更将性能突破作为核心目标，尤其着力提升光敏性指标。更强的光敏性意味着更短的曝光时间，在不新增设备投入的前提下显著提升产线吞吐效率。换言之，即便共用同一台ASML EUV光刻机，更高性能的光刻胶也能释放出更大产能潜力。
随着DRAM工艺迈入10nm以下区间，EUV光刻层数呈指数级增长。目前业界量产的第七代1d工艺（1a/1b/1c之后的迭代）已需叠加7层EUV曝光，未来1γ及更先进节点预计将突破10层。这一趋势进一步放大了高性能EUV光刻胶的战略价值。
