12月11日最新消息，sk海力士正式宣布将与nvidia建立深度战略协作关系，联合推进下一代ai nand存储技术的研发，致力于突破当前ai计算与数据存储之间日益凸显的性能鸿沟。
该创新性解决方案计划于2026年底交付首批工程样品，整体性能预计较当前主流产品实现近10倍跃升。
在“2025人工智能半导体未来技术大会（AISFC）”上，SK海力士副社长Kim Cheon-seong表示，公司正围绕数据中心及边缘计算两大关键应用场景，系统性布局高技术附加值的AI专用内存产品体系。
面向AI数据中心需求，SK海力士正打造名为“AIN Family”的全系列AI NAND产品组合，该系列涵盖三款差异化定位的NAND解决方案，分别聚焦于性能优化（AI-NP）、带宽强化（AI-NB）以及容量扩展（AI-ND）。
其中，AI-NP作为面向大规模AI推理任务的核心存储方案，采用全新设计的NAND单元结构与智能控制器架构，旨在显著缓解AI芯片与存储介质间的数据传输瓶颈，从而在提升运算吞吐量的同时大幅降低单位算力能耗。
据Kim Cheon-seong介绍，SK海力士已与NVIDIA同步启动AI-NP的技术验证工作，首代样品将搭载PCIe Gen 6接口，并具备高达2500万次IOPS的随机读写能力。
而当前数据中心级高性能企业SSD的IOPS峰值普遍维持在约300万次水平，这意味着AI-NP初代样本的性能将达到现有产品的8至10倍区间。
SK海力士进一步规划，第二代AI-NP产品将于2027年底进入量产阶段，目标IOPS指标提升至1亿次，届时其综合性能相较现有企业级固态硬盘有望实现30倍以上的跨越。
除AI-NP外，SK海力士亦正加速推进AI-NB的研发进程，即高频宽闪存（HBF），其设计理念借鉴了HBM内存的高带宽思路——区别在于HBM通过垂直堆叠DRAM芯片实现，而HBF则依托NAND闪存的三维堆叠工艺构建。
