1月12日消息，counterpoint research最新发布的两份行业分析报告一致表明，全球存储市场已全面迈入“超级牛市”周期。本轮行情不仅显著超出此前市场普遍预期，更已突破2018年创下的历史峰值水平，且上涨趋势有望延续至2026年第二季度末。
具体来看，2026年第一季度存储芯片价格预计仍将上扬40%–50%，尽管进入第二季度后涨幅有所放缓，但仍将维持约20%的强劲增长势头。
图片来源：Counterpoint Research 内存月度价格追踪
以服务器关键组件——64GB RDIMM内存模组为例，其单价已呈现典型的“阶梯式跃升”特征：2025年第三季度报价仅为255美元（折合约0.50美元/Gb），至第四季度即飙升至450美元（折合约0.88美元/Gb），单季涨幅高达76%以上；报告进一步预估，该型号产品在2026年3月的价格或将突破700美元（折合约1.37美元/Gb）。若当前紧张的供需格局未能有效缓解，年内价格冲高至1000美元（折合约1.95美元/Gb）亦属合理区间——相比之下，2018年行业高点时期，同规格产品单价仅为1.00美元/Gb，当前预期价格已接近翻倍。
智能手机市场同样面临显著成本压力。搭载16GB–24GB LPDDR5X运行内存与512GB–1TB UFS 4.0闪存的高端机型中，存储模块在整机物料清单（BoM）中的成本占比正经历结构性抬升，目前已攀升至20%甚至更高水平。
从供给端观察，尽管Counterpoint预测2026年DRAM总产能将同比增长24%，且全行业资本开支持续加码，但由于AI服务器对高性能存储需求爆发式增长、晶圆厂加速向高附加值产品线倾斜等因素叠加，中短期内高端存储芯片仍面临明显供应缺口，完全匹配市场需求尚需时日。
编辑点评：此轮存储“超级牛市”的核心驱动力，源于AI基础设施扩张带来的刚性需求激增与产业链产能再配置的双重共振。价格屡创新高不仅刷新历史纪录，更深度重塑终端硬件的成本结构，旗舰机型中存储成本占比跃升至20%即是明证。即便2026年DRAM产能迎来扩张，但供需失衡局面难以快速扭转，本轮涨价潮对上下游产业链乃至终端消费市场的传导效应仍将持续，相关厂商与用户均需提前规划应对策略。
