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霞舞
发布时间：2026-01-19 12:10:15
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|来源于php中文网
原创
1月19日消息，据韩国媒体etnews于本月14日报道，sk海力士已顺利完成其位于中国江苏无锡的dram内存晶圆厂制程升级工作，核心制造工艺已由1z nm（即第三代10纳米级）正式迈入1a nm（第四代10纳米级）阶段。
该无锡工厂承担着SK海力士约三分之一的DRAM产能。报道指出，在当前每月约18万至19万片12英寸晶圆的投片规模中，已有接近90%切换为1a nm制程。不过，由于1a nm工艺需依赖EUV光刻技术，而相关设备面临进口管制，因此无锡厂生产的1a nm晶圆需运往韩国，在当地完成部分关键制程步骤。
▲ SK海力士无锡生产基地
SK海力士官方就ETNews上述报道未予回应，拒绝发表评论。
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