内存条价格飙升是AI服务器需求激增、巨头转向高端产能、供应链囤货、终端需求分化及地缘政治等多重结构性因素共同驱动的结果。
如果您关注近期内存条价格异常飙升现象，发现单条DDR5内存已突破1600元、部分型号半年涨幅超300%，则这轮涨价并非短期波动，而是由多重结构性因素共同驱动。以下是对此轮涨价原因的深度分析：
一、AI服务器需求激增，直接吞噬全球内存产能
AI服务器对DRAM的需求量是普通服务器的8-10倍，仅2025年第四季度就消耗全球内存月产能的53%。头部云服务商与智算中心持续追加采购订单，导致原厂不得不将硅晶圆产线优先分配给AI专用内存产品。苏欣所在企业参与的智算中心二期项目，内存需求从1万条骤增至8万条，印证了该趋势的刚性强度。
1、AI大模型每六至七个月迭代一次，每次迭代均要求算力与存储容量成倍提升。
2、单台AI服务器需搭载数百条高容量DDR5或HBM内存模组，远超传统数据中心配置密度。
3、全球HBM产能已基本售罄，三星、SK海力士等厂商的HBM订单排期延至2026年三季度。
二、三大存储巨头集体收缩DDR4产能，转向高毛利高端产品
三星、SK海力士、美光自2025年起加速产能结构调整，将资源集中投向HBM、DDR5等高带宽、高附加值产品，同步大幅削减DDR4资本投入与技术迭代。此举造成成熟制程内存供给断崖式下滑，而半导体扩产周期长达三至四年，短期内无法填补缺口。
1、美光于2025年9月暂停报价后恢复报价，新价普遍上涨约20%，并宣布将于2026年2月底全面退出Crucial消费级市场。
2、三星上调LPDDR4X、LPDDR5/5X移动DRAM合约价15%～30%，NAND Flash合约价上调5%～10%。
3、SK海力士在2025年第四季度将DRAM与NAND Flash合约价最高上调30%，且明确停止对DDR4的新工艺研发。
三、供应链恐慌性备货与资本囤货加剧价格扭曲
在供需严重失衡预期下，具备资金实力的贸易商与机构投资者开始大规模囤积内存颗粒与模组，形成“上游惜售、中游抢货、下游缺料”的传导链。零售端小商家因抗风险能力弱，普遍采取随销随采策略，进一步放大终端价格波动幅度。
1、部分华强北经销商反映，DDR5内存条单日涨价可达40元，出现“一天一价”现象。
2、长鑫科技虽为全球第四大DRAM厂商，但现有产能尚不足以覆盖消费级市场缺口，无法缓解结构性短缺。
3、集邦咨询数据显示，2025年第四季度一般型DRAM价格季增8%～13%，叠加HBM涨幅后整体达13%～18%。
四、终端需求分化加剧供应错配
消费电子领域呈现明显两极化：轻办公用户对8GB基础内存需求稳定，但游戏玩家与内容创作者对16GB及以上高频内存的实际采购意愿受价格抑制而延迟；与此同时，32GB以上高频消费级内存及256GB以上服务器级内存因匹配AI、大数据应用，需求持续旺盛，进一步挤占通用产能。
1、杭州颐高数码广场组装机销量由每周40台跌至12台，跌幅达2/3。
2、PCSpecialist等定制商指出，基础办公电脑成本由2500元升至3500元，涨幅近40%。
3、Counterpoint Research预测，2026年第一季度市场价格还将上涨40%至50%，第二季度继续上涨约20%。
五、地缘政治与产业链传导放大成本压力
全球存储芯片供应量2026年预计仅增长7%-8%，远低于20%-25%的需求增速。在此背景下，上游涨价通过模组厂、ODM、品牌整机厂商层层传导，最终由终端消费者承担。联想、戴尔已预警2026年电脑产品将普遍涨价15%-20%，部分手机厂商选择推迟新品发布。
1、搭载内存的设备范围已扩展至医疗设备、智能手表、电视等全品类终端。
2、TrendForce下调2026年全球智能手机出货预测至年减2%，笔记本电脑出货预测至年减5.4%。
3、库存短缺厂商的内存售价已达此前的5倍，部分供应商甚至暂停报价以规避短期价格回调风险。
