TRFC值属于第二小参，表示刷新间隔周期，单位为周期，值越小越好。
DDR3内存通常值为90-120。低于80时，可能导致不稳定。CL、tRCD、tRP和tRAS称为第一时序，对颗粒性能的影响最明显，也最重要。 （推荐学习：phpstorm）
首先要内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。
清楚要使计算机有条不紊地工作，对各种操作信号的产生时间、稳定时间、撤销时间及相互之间的关系都有严格的要求。
对操作信号施加时间上的控制，称为时序控制。只有严格的时序控制，才能保证各功能部件组合有机的计算机系统。
内存时序的影响因素：
当将内存时序转换为实际的延迟时，最重要的是注意是以时钟周期为单位。如果不知道时钟周期的时间，就不可能了解一组数字是否比另一组数字更快。
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举例来说，DDR3-2000内存的时钟频率是1000 MHz，其时钟周期为1 ns。基于这个1 ns的时钟，CL=7给出的绝对延迟为7 ns。
而更快的DDR3-2666（时钟1333 MHz，每个周期0.75 ns）则可能用更大的CL=9，但产生的绝对延迟6.75 ns更短。
现代DIMM包括一个串行存在检测（SPD）ROM芯片，其中包含为自动配置推荐的内存时序。
PC上的BIOS可能允许用户调整时序以提高性能（存在降低稳定性的风险），或在某些情况下增加稳定性（如使用建议的时序）。
注意：内存带宽是测量内存的吞吐量，并通常受到传输速率而非潜伏时间的限制。
通过交错访问SDRAM的多个内部bank，有可能以峰值速率连续传输。可能以增加潜伏时间为代价来增加带宽。
具体来说，每个新一代的DDR内存都有着较高的传输速率，但绝对延迟没有显著变化，尤其是市场上的第一批新一代产品，通常有着较上一代更长的延迟
