雷电接口外接存储性能接近内置NVMe SSD，读写速度达2800–3200MB/s，远超SATA内置盘的550MB/s，但仅为PCIe 4.0 NVMe内置盘的60%–70%，差距源于协议开销与桥接芯片延迟；在大文件传输中表现优异，小文件频繁读写时内置NVMe仍占优，且雷电外接依赖线材质量与供电稳定；优势在于便携性与扩展性，支持热插拔和菊花链，适合移动工作者，而内置硬盘更优在系统集成与长期稳定性，选择取决于对速度、便携与整合性的权衡。
雷电接口（Thunderbolt）外接存储设备与内置硬盘的性能对比，核心在于传输带宽、延迟和实际读写速度。随着雷电3和雷电4普及，外接设备已能接近甚至媲美内置SATA或NVMe SSD的表现，但仍有差异。
接口带宽与理论极限
雷电3和雷电4提供高达40Gbps的双向带宽，支持PCIe数据通道，这意味着外接NVMe固态硬盘盒可充分发挥NVMe协议的优势。相比之下：
- USB 3.2 Gen 2x2：仅10–20Gbps，远低于雷电
- SATA III接口：上限约6Gbps，对应最大传输速度约550MB/s
- NVMe PCIe 3.0 x4：理论可达4GB/s
- 雷电外接NVMe SSD：实测顺序读写常达2800–3200MB/s
可见，雷电外接设备在协议支持上已超越SATA内置硬盘，逼近中高端NVMe内置盘。
实际读写性能对比
我们选取典型设备进行对比测试（使用CrystalDiskMark）：
- 内置SATA SSD（如三星870 EVO）：顺序读取550MB/s，写入520MB/s
- 内置NVMe SSD（如西部数据SN770，PCIe 4.0）：读取5000MB/s，写入4200MB/s
- 雷电4外接NVMe SSD盒（搭配三星980 Pro）：读取2900MB/s，写入2600MB/s
结果说明：雷电外接设备速度显著高于SATA内置盘，约为PCIe 4.0 NVMe内置盘的60%–70%。瓶颈主要来自雷电协议封装开销和主控桥接芯片效率。
延迟与使用场景影响
尽管吞吐量高，外接设备仍存在额外延迟：
- 雷电外接盘平均访问延迟比内置NVMe高出约0.2–0.5ms
- 在频繁小文件读写（如系统启动、程序加载）时，内置NVMe优势更明显
- 视频剪辑、大文件传输等连续读写场景，雷电外接几乎无感差异
此外，外接设备依赖供电稳定性与线材质量，劣质雷电线可能降速至20Gbps以下。
扩展性与便携性的权衡
雷电外接存储最大优势在于灵活性：
- 可热插拔，便于多设备间高速数据迁移
- 支持菊花链连接多个高性能设备（如显示器+存储阵列）
- 适合影视工作者、摄影师等需移动大容量素材用户
而内置硬盘胜在系统集成度高、长期运行稳定、无额外功耗与线缆负担。
基本上就这些。雷电外接存储在性能上已大幅缩小与内置硬盘的差距，尤其对SATA用户而言，升级到雷电外接NVMe是性价比很高的提速方案。但对于追求极致响应速度和低延迟的应用，内置NVMe仍是首选。选择哪种方式，取决于你更看重速度、便携还是系统整合性。
