11 月 19 日消息，为提升盈利能力，三星电子正调整其存储业务战略：在 DRAM 市场价格持续走高的背景下，公司将优先扩充通用型 DRAM 的产能，同时放缓对高带宽存储器（HBM）领域的投入。未来几年内，扩大通用型 DRAM 的生产规模或将成为公司提升盈利的关键举措。
目前，包括 DDR5、LPDDR5X 和 GDDR7 在内的主流 DRAM 产品价格持续上扬。据市场数据显示，三星 32GB DDR5 内存模组的合约价已从 9 月的 149 美元飙升至 11 月的 239 美元，涨幅高达 60%。面对这一强劲的市场趋势，三星认为，集中资源发展需求旺盛、利润率较高的通用 DRAM，是短期内实现利润最大化的最优策略。
据韩国媒体 DealSite 报道，三星计划进一步扩大第五代 DRAM（基于 1b 纳米节点，10 纳米级工艺）的量产规模。具体措施包括将部分采用旧制程（如 1z 节点）的生产线升级或转用于先进 DRAM 制造，并评估将部分原本用于 NAND 闪存生产的产能转移至 DRAM 领域，以更高效地整合现有制造资源。
与此同时，由于市场需求未达预期，三星的 HBM 业务目前仍处于亏损状态。尽管公司正积极推进 HBM4 的研发与商业化进程，但其生产良率尚未达到理想水平，制约了大规模出货和盈利前景。此外，与核心客户英伟达（NVIDIA）关于 HBM4 的供货协议至今未能敲定，导致产品量产时间表进一步推迟。因此，在维持既定 HBM 生产规划的前提下，三星正逐步增加 DRAM 的产出比重。
一位三星高管明确指出：“明年我们的首要目标是尽一切可能实现盈利最大化。在技术层面我们仍落后于 SK 海力士，现阶段不具备依靠 HBM 实现快速反超的实力。”
据悉，作为新战略的一部分，三星存储部门管理层也正在进行调整。Han Jin-man 已被提名为下一任存储业务负责人人选。他曾于 2020 年担任存储业务部门战略营销办公室副总裁，以其卓越的价格谈判能力闻名，有望在当前快速发展的 DRAM 市场中助力公司实现更高的利润回报。
