1月17日消息，台积电去年在美国施压下宣布追加1000亿美元投资，使其在美芯片制造项目总投资额升至1650亿美元；但根据最新谈判进展，其赴美投资规模将进一步扩大。
美方明确要求中国台湾地区整体对美直接投资不得低于2500亿美元，其中台积电被视为主力推手。尽管新增具体金额尚未敲定，但已确认将超过此前追加的1000亿美元。
除资金加码外，美方还提出产能迁移硬性目标：美国商务部长卢特尼克公开表示，须在现任总统四年任期内，将台积电全球40%的晶圆制造产能转移至美国本土工厂。
针对该诉求，台积电首席财务官黄仁昭在近期采访中未作直接承诺，仅强调当前对美扩产系响应客户（如苹果、英伟达等）持续增长的AI芯片订单需求，且项目推进顺利。
他透露，台积电在美布局将涵盖6座先进制程晶圆厂、2座先进封装厂及1座研发中心；由于首期购入的1160英亩用地已显紧张，公司已追加购入第二块达900英亩的土地用于后续建设。
对于外界关于“技术外溢”与“产业空心化”的担忧，尤其是最尖端制程是否加速流向美国的问题，黄仁昭重申：台积电最前沿的工艺节点仍将优先保留在中国台湾本土工厂。
他解释称，出于良率爬坡、设备协同与供应链稳定性等现实因素，任何新一代制程均需在台湾厂区完成至少一年以上的量产验证与成熟运行后，才考虑向海外厂线导入，此过程周期不少于12个月。
然而值得注意的是，台积电早前对外承诺的海外技术授权原则为“落后两代”，按行业普遍2年一代演进节奏推算，本应形成约4年代际差；而目前美方工厂已开始导入量产仅一年的2nm工艺，实际技术代差大幅收窄。
此外，鉴于3nm与2nm之间物理架构与集成方式趋同，以及2nm向A16过渡阶段更多依赖系统级优化而非基础制程突破，美国厂区与台湾总部在核心技术能力上的实际落差，远小于名义上的“一代之遥”。
