1月18日消息，当前存储芯片市场正深陷严重供需错配的困局：一边是nvidia及亚马逊、微软、谷歌等云服务商对高性能内存的爆发式抢购，需求强度近乎“饥渴”；另一边，三星却以极为克制的姿态推进产能释放。
除主动调整产品结构、优先保障AI服务器用内存供应、压缩消费级DDR/LPDDR产线外，三星正加速推进韩国平泽园区扩产计划，以提升整体DRAM产出能力。
尽管行业预测2026年全球DRAM总需求将同比激增逾30%，但三星全年DRAM晶圆产能仅计划提升约5%，至约800万片水平。
此前多方分析指出，三星、SK海力士等头部厂商对大规模扩产持审慎立场，核心顾虑在于——若AI基础设施建设节奏放缓，激进扩产可能引发后续周期性产能过剩与价格崩塌。
尤为关键的是，本轮新增产能高度聚焦于AI专用领域：SK海力士清州M15X工厂、三星平泽第四工厂（P4）、美光爱达荷新厂，其设计目标均以HBM3/HBM4为主导，而非传统通用型DRAM。
因此，即便名义上DRAM总产能有所增长，实际流向PC、智能手机、电视等消费终端的可用供给几无改善，内存紧缺局面预计将持续贯穿2026年，并可能延续至2027年上半年。
