1月19日最新消息，内存与闪存芯片的涨价潮已全面深化，现货市场价格较此前飙升超3倍，远超2018年那轮牛市的涨幅峰值。业内普遍预期，此轮涨价态势至少将持续至2026年底。
早前领涨的多为先进制程新品——HBM、DDR5、GDDR7以及大容量QLC闪存等，定位高端、价格敏感度较低；而当前涨价逻辑正加速向中低端产品渗透：继DDR5之后，DDR4内存已正式加入涨价行列。
此前我们曾指出，存储芯片中尚存价格“洼地”的仅剩三类：DDR3内存、NOR Flash及部分SLC/MLC NAND闪存。短短半个月内，这一局面即将被打破——这些传统品类的涨价已箭在弦上。
在DDR5持续紧缺与价格高企的带动下，下游厂商纷纷转向DDR4替代方案，致使其需求激增。摩根士丹利研报明确预测：DDR4芯片在2026年第一季度价格涨幅或达50%，且涨势将延续至第二季度。
而DDR4产能扩张又进一步挤压成熟制程资源，造成DDR3供应严重错配。目前市场已出现明显缺货现象，尤以2Gb密度的高规格DDR3颗粒为甚，现货渠道几近断供，虽暂无统一涨幅数据，但实际成交价已悄然上行。
NOR Flash同样步入涨价快车道，一季度报价预计上调20%–30%，终端实际采购价普遍高于指导区间。
至于SLC与MLC NAND，虽已淡出消费级SSD主流应用，但在工控、通信设备、企业级嵌入式系统等领域仍具不可替代性。当前多家厂商正密集开展新一轮议价，涨价已是共识，只是具体幅度尚待落地确认。
值得一提的是，DDR3内存诞生于2008年，伴随Intel Nehalem平台首发，距今已有整整18年。本被视为“过时技术”，却因DDR5/DDR4集体暴涨，意外在二手DIY市场重获青睐——不少玩家试图通过捡漏老平台来规避成本压力。但现实是：退回到2008年，也逃不过2026年的这波超级周期。
