1月20日，据多家媒体报道，全球存储巨头sk海力士已成功完成其位于中国无锡工厂的dram制程升级工作，正式将量产节点从此前的1z nm全面切换至更先进的1a nm工艺。
现阶段，无锡工厂的DRAM月产能稳定在约18万至19万片12英寸晶圆之间，其中已有约90%的产线完成向1a制程的过渡。在DRAM技术演进序列中，1z属于10纳米级第三代工艺，而1a则为第四代，代表当前主流先进制程的重要里程碑。
制程的进一步微缩，不仅带来单颗芯片性能的明显增强与功耗的有效降低，还显著提升了单位晶圆的芯片产出数量。此次升级使无锡基地能够稳定供应更高性能、更具竞争力的DRAM产品。
此次无锡工厂的技术跃迁引发广泛关注，关键原因在于其在全球DRAM供应链中扮演着不可替代的角色——该厂贡献了SK海力士全球DRAM总产量的30%至40%，是集团最重要的制造枢纽之一。
此前，市场普遍担忧美国对华半导体设备出口限制可能影响无锡厂获取关键先进装备，从而拖慢技术迭代节奏，甚至波及全球内存供应稳定性。目前来看，相关风险已得到妥善应对与化解。
需要指出的是，1a DRAM制程的实现高度依赖极紫外（EUV）光刻技术，而此类尖端设备受美国出口管制政策约束，无法直接销往中国大陆。
为突破这一限制，SK海力士创新性地采用了“分段式制造”模式：将必须使用EUV光刻的核心前道工序安排在韩国本土完成，再将已完成关键光刻步骤的晶圆转运至无锡工厂，继续推进后续的刻蚀、沉积、封装等制程环节。虽然该方式在物流、协调与成本控制方面带来额外挑战，但基于无锡工厂的战略价值，公司仍坚定推动并顺利实现了整体制程迁移。
自2006年正式投产以来，SK海力士对无锡工厂的累计投资已高达数十万亿韩元。与此同时，在韩国本土，公司正全力推进更前沿的1c（第六代10纳米级）DRAM工艺量产进程，相关产线主要集中于利川的M14与M16晶圆厂。
通过上述差异化布局，无锡工厂持续承担高良率、大规模量产任务，聚焦成熟且稳定的先进制程；而韩国基地则集中资源攻关下一代DRAM及HBM等尖端存储技术，既满足国际合规要求，又确保企业在技术前沿持续领跑。
