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中国存储芯片制造商长鑫科技（CXMT）预计，今年其DRAM出货量将同比增长约50%，在整体DRAM市场中的出货份额预计将从第一季度的6%上升至第四季度的8%。
除了在DDR4和LPDDR4等传统优势产品上扩大产能之外，长鑫在新一代DDR5和LPDDR5产品方面也取得了显著进展。据Counterpoint预测，该公司在DDR5市场的份额将从第一季度的不足1%增长到年底的7%，而LPDDR5的市场份额也将由0.5%跃升至9%。
根据TrendForce最新发布的报告，中国厂商在今年第三季度DRAM与NAND闪存合并市场的出货份额预计将突破10.1%，这是中国大陆半导体企业首次在该领域市场份额超过10%。自去年第二季度首次突破5%（5.4%）以来，仅用一年时间便实现了份额接近翻倍的增长。
不过，在先进DRAM制造所必需的高k金属栅极工艺方面，长鑫仍面临技术挑战。该工艺是应对先进制程中漏电流问题的关键创新。
目前全球DRAM市场仍主要由三星电子和SK海力士等韩国厂商主导，而长鑫正在该领域快速提升自身市场地位。
