9月2日最新消息，尽管我国在半导体芯片产业持续加大投入并奋力追赶，但与国际领先水平相比，仍存在显著差距，尤其是在核心设备领域，该产业依然是我国科技发展面临“卡脖子”问题最突出的环节之一。
据全球知名投行高盛近期发布的研究报告指出，当前中国自主研发的光刻机仅能支持65nm制程芯片的制造，与行业龙头ASML的技术水平相差约20年。
报告分析称，即便中芯国际已实现7nm芯片的量产，其背后大概率仍依赖ASML早前推出的DUV深紫外光刻设备，因为中国尚未掌握先进光刻机的自主生产能力，更遑论ASML已迭代两代的EUV极紫外光刻技术。
目前，ASML已启动其最新一代High-NA EUV光刻机的交付，该设备将为Intel、台积电、三星等巨头研发1.4nm及以下工艺提供关键支撑。
这款设备重达180吨，体积堪比双层巴士，不仅是全球最复杂的半导体制造装备，也被誉为最昂贵的工业设备之一，单台售价预计突破4亿美元。
高盛进一步强调，ASML从65nm工艺推进至3nm及更先进节点，历时整整20年，累计投入研发与资本开支高达400亿美元。
因此，报告认为，在当前中国半导体技术基础、巨额研发成本、全球供应链高度依赖以及复杂地缘政治环境的多重制约下，国产光刻机短期内难以实现对国际先进水平的赶超。
值得一提的是，2025年第二季度，ASML实现营收77亿欧元，同比增长23.2%；毛利率攀升至53.7%；净利润达23亿欧元，同比大幅增长45.2%。
嗯，你们就继续认为自己依旧遥遥领先就好了……
