tRFC和tFAW调校可提升内存性能与稳定性，tRFC影响刷新延迟，需根据颗粒类型逐步降低并测试；tFAW控制行激活窗口，压缩时需配合tRRD_L优化，并以5为步进调试避免性能下降；两者均需结合tREFI、tRRD_S/L及VDDQ电压协同调整，最终在当前频率电压下找到稳定边界，实现高效稳定运行。
内存时序调校是提升系统性能的关键环节，尤其在高频内存普及的今天，合理优化次级时序能显著改善延迟与稳定性。tRFC 和 tFAW 是其中影响较大的两个参数，正确调整它们可以在不牺牲稳定性的前提下提高带宽利用率和响应速度。
tRFC 调校：平衡功耗与延迟
tRFC（Row Refresh Cycle Time）决定内存颗粒在刷新整行数据时所需的最短时间。它是防止数据丢失的重要保障，但设置过大会拖慢内存响应。
- tRFC 通常由内存颗粒型号决定，如三星B-die约在350–450之间较稳，而海力士CJR可能低至280–330。
- 可尝试逐步降低该值，每次减10–20，进入系统运行MemTest或TM5测试稳定性。
- 注意低温会延长刷新需求，冬季超频需适当放宽tRFC避免蓝屏。
- 若BIOS中提供“Auto”选项，建议先手动设为中间值再微调，避免自动设置过于保守。
tFAW 调校：控制突发访问窗口
tFAW（Four Activate Window Delay）限制单位时间内最多四次行激活操作的时间窗口。它防止过度集中访问导致信号干扰，但设置太宽松会影响高并发场景性能。
- 标准DDR4 JEDEC规范中tFAW约为50ns，对应频率下换算成数值（如3200MHz下约为48–52）。
- 对于高性能DRAM，可尝试压缩至理论最小值（如40或更低），需配合tRRD_L（Local Row-to-Row Delay）一起优化。
- tFAW 过紧会导致AIDA64内存写入/复制分数骤降，甚至无法开机，建议以5为步进调试。
- 服务器或长时间渲染工作负载应保留一定余量，避免因热积累引发错误。
与其他时序的联动关系
单独调整tRFC或tFAW往往不够，需结合主次时序协同优化：
- tREFI（Refresh Interval）与tRFC密切相关，若大幅缩短tRFC，tREFI不宜过长，否则刷新压力集中。
- tRRD_S 与 tRRD_L 影响bank组间切换速度，tFAW压缩后这两个参数也需相应收紧。
- VDDQ电压适度提升（如1.35V→1.4V）有助于支撑更激进的tRFC/tFAW组合，尤其是使用长条模组时。
基本上就这些。调校过程要有耐心，每改一项都做基础验证。记住，最佳参数不是最小数字，而是当前频率与电压下的稳定边界。找到那个点，系统才能真正又快又稳。
