2025年以来，智能手机存储芯片市场正面临史无前例的成本压力。1月27日，cnmo获悉，有数码领域博主指出，目前采用12gb+256gb规格、搭载lpddr5x内存与ufs4.0闪存的组合方案，其单机物料成本已高于2025年第一季度16gb+1tb旗舰机型所用存储方案；而到了2026年第一季度，该配置或将跃升为高端手机中单价最高的核心元器件。
存储芯片
行业此前统计显示，存储芯片在整机物料清单（BOM）中的成本占比已由原先的10%-20%大幅攀升至20%-30%，部分旗舰机型甚至突破35%大关。
据多家媒体公开报道，过去半年间，部分DRAM颗粒价格飙升达10倍之多，一套16GB内存模组售价从约200元激增至近600元，涨幅逾200%。在NAND闪存方面，三星电子宣布2026年第一季度将产品价格上调超100%，其余主流厂商调涨幅度也普遍处于50%-80%区间。供应链内部消息显示，某头部终端厂商采购的1TB NAND芯片交付周期已拉长至20周以上。
AI基础设施建设的迅猛扩张成为关键驱动因素——全球绝大多数存储产能已被AI服务器占据，单台AI服务器对DRAM的需求量是传统服务器的8倍，对NAND闪存的需求则达3倍。三星、SK海力士等头部厂商已将约70%的产线转向高附加值的HBM芯片生产，致使面向消费电子市场的存储供应持续收紧。在产能布局上，三星正逐步终止DDR4等旧制程芯片的制造，而美光位于纽约的新工厂等新增产能预计要到2030年才能实现量产，供需矛盾因此进一步加剧。
